江苏AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存

高性能、低成本离线式PWM控制开关KP3501A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型电路。KP3501A采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，芯片内部**小Toff时间固定为20μs且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。KP3501A集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。主要特点•高精度5V默认输出•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•集成采样电阻，**系统成本•支持**压输入(15V以上)应用•支持降压电路•开关式峰值电流模式控制•**待机功耗小于50Mw•比较高45kHz开关频率•**工作电流，支持小VDD电容•集成软启动电路•集成式保护功能:•过载保护(OLP)•过热保护(OTP)•逐周期电流限制(OCP)•异常过流保护(AOCP)•前沿消隐(LEB)•VDD欠压保护•封装类型SOP-4系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，**电路简单、器件个数少。江苏AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存

芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP35064集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•集成续流二极管•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOP-8福建AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片原厂设计的软驱动功能的驱动电路优化了系统 EMI 性能。

芯片在轻载条件下工作在FPWM 模式，从而允许低侧MOSFET 通过反向电流。在FPWM 模式下，如果输出端由于意外被连接到外部电源上，芯片可能工作在反向升压模式，产生很高的反向电流以至损坏芯片。芯片 内部集成低侧MOSFET 电流检测电路，当检测到低侧MOSFET反向电流大于反向限流阈值(NOC) 时，立即关闭低侧MOSFET，然后打开高侧MOSFET 将输出电感的能量泄放出去。此功能可以限制反向电流保持在NOC 阈值以上，从而保护低侧MOSFET。另外，NOC 限流在**小关断时间内不生效。

当过流或者过热故障发生时，芯片进入到自动重启和VDD振荡模式中。在此过程中高压MOSFET不允许导通，同时VDD电容上电压持续在4.87V和4.38V之间振荡。通过芯片内部数字计数器对振荡周期的计数，当振荡周期数超过511次时芯片退出保护模式并重新开始工作。如果故障解除，系统开始正常工作；否则系统再次进入振荡模式。为确保系统工作稳定，推荐KP311A系统工作于浅度CCM状态，即电感电流纹波ΔI接近于OCP峰值电流(210mA)。具体感量计算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：输出电压；Vf：续流二极管压降；Toff_min：IC设定内部**小Toff时间，约32us；ΔI：电感纹波电流，CCM条件下为2*(Iocp-Io_max)。举例来讲，参考5V-100mA输出规格，设定Io_max为额定输出电流的1.2倍，即120mA；芯片工作在准谐振工作模式下，可有 效降低开关损耗，提高系统效率。

持续的研发是保持产品竞争力的关键，而模拟芯片的研发与设计需要电子、材料、半导体等跨学科知识的积累和跨行业技术的整合，且对研发人员的专业水平和工作经验要求较高。必易微的**研发团队均具备国内外名校的学历背景，并曾在国内外**科技企业担任高层研发和管理职务，拥有丰富的行业经验，对模拟集成电路设计有着深刻的理解。必易微在市场开拓的进程中专注客户服务，对客户的需求能够快速响应，以解决客户痛点、**市场潮流为市场价值导向，取得了行业头部客户的认可和采用，推动了公司产品打破国外厂商对市场的垄断地位，为公司新产品、新业务的发展提供了***辽阔的市场空间。芯片采用准谐 振开关技术，可获得优越的EMI 性能和较高的系统 效率。江西大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片原厂

在实际 工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD 电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频 模式中。江苏AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存

芯片内部**小Toff时间固定为32us，同时为了优化系统EMI系统还带有±5%范围的抖频功能。在实际工作中，系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低，所以系统工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOS电流的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰，芯片内设计有前沿消隐电路(典型值400ns)，在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。江苏AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片库存

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